China Semiconductor discreto

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  Los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo se aplican a los equipos de ensayo de los equipos de ensayo de los equipos de ensayo.

  Categoría:Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales

  Característica del FET:-

  Vgs(th) (máximo) @ Id:3.9V @ 350μA

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  BSO301SPNTMA1

  Categoría:Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales

  Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:Las partidas de los demás componentes

  Estado del producto:No está disponible

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  SPA04N60C3XKSA1

  Categoría:Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales

  Característica del FET:-

  Vgs(th) (máximo) @ Id:3.9V @ 200 μA

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  BSP317PE6327

  Categoría:Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales

  Característica del FET:-

  Vgs(th) (máximo) @ Id:2 V @ 370 μA

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  Se aplicará la norma BSL207SP.

  Categoría:Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales

  Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:20 nC @ 4,5 V

  Estado del producto:No está disponible

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  Se aplicarán los siguientes requisitos:

  Categoría:Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales

  Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:2.26 nC @ 10 V

  Estado del producto:No está disponible

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  BSO203SPNTMA1

  Categoría:Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales

  Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:50.4 nC @ 4,5 V

  Estado del producto:No está disponible

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  Se aplicará el procedimiento siguiente:

  Categoría:Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales

  Característica del FET:-

  Vgs(th) (máximo) @ Id:2V @ 50μA

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  BSP316PE6327

  Categoría:Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales

  Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:6.4 nC @ 10 V

  Estado del producto:No está disponible

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  Se aplicará el procedimiento de ensayo de la norma IPD04N03LA.

  Categoría:Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales

  Característica del FET:-

  Vgs(th) (máximo) @ Id:2V @ 80μA

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  Se aplicará el procedimiento de ensayo de la norma IPD13N03LA.

  Categoría:Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales

  Característica del FET:-

  Vgs(th) (máximo) @ Id:2V @ 20µA

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  BSS223PW L6327: las condiciones de las mismas son:

  Categoría:Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales

  Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:0.62 nC @ 4,5 V

  Estado del producto:No está disponible

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