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BSO301SPNTMA1

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Ampliación de imagen :  BSO301SPNTMA1

Datos del producto: Pago y Envío Términos:
Descripción: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO y otros componentes de la misma
Contacto

BSO301SPNTMA1

descripción
Categoría: Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs: Las partidas de los demás componentes
Estado del producto: No está disponible Tipo de montaje: Montura de la superficie
Paquete: Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel® Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds: El valor de las emisiones de dióxido de carbono es el siguiente:
Serie: OptiMOS™ Vgs (máximo): ± 20 V
Vgs(th) (máximo) @ Id: 2V @ 250μA Paquete de dispositivos del proveedor: PG-DSO-8
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14,9A, 10V El Sr.: Tecnologías Infineon
Temperatura de funcionamiento: -55 °C ~ 150 °C (TJ) Tipo de FET: P-canal
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido): 4.5V y 10V Disipación de poder (máxima): 2.5W (TA)
Envase / estuche: 8 SOIC (0,154", 3,90 mm de ancho) Voltagem de salida a la fuente (Vdss): 30 V
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta) tecnología: MOSFET (óxido de metal)
Característica del FET: -

P-Canal 30 V 12.6A (Ta) 2.5W (Ta) Montaje de superficie PG-DSO-8

etiqueta:

IC de transistores,

Transistores Circuitos integrados,

Sistemas de circuito integrado de transistores

Contacto
Sensor (HK) Limited

Persona de Contacto: Liu Guo Xiong

Teléfono: +8618200982122

Fax: 86-755-8255222

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