China Semiconductor discreto

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  Se aplican los siguientes requisitos:

  Categoría:Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales

  Característica del FET:-

  Vgs(th) (máximo) @ Id:4V @ 44μA

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  Se aplicará el procedimiento siguiente:

  Categoría:Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales

  Característica del FET:-

  Vgs(th) (máximo) @ Id:2V @ 60μA

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  El número de unidades de producción será el siguiente:

  Categoría:Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales

  Característica del FET:-

  Vgs(th) (máximo) @ Id:2V @ 110μA

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  Se aplicará a los vehículos de la categoría M1 y M2.

  Categoría:Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales

  Característica del FET:-

  Vgs(th) (máximo) @ Id:2V @ 20µA

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  El número de unidades de la unidad será el siguiente:

  Categoría:Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales

  Característica del FET:-

  Vgs(th) (máximo) @ Id:3.9V @ 135 μA

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  Se aplicará el procedimiento siguiente:

  Categoría:Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales

  Característica del FET:-

  Vgs(th) (máximo) @ Id:2V @ 20µA

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  El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades

  Categoría:Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales

  Característica del FET:-

  Vgs(th) (máximo) @ Id:2V @ 250μA

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  Se aplicarán los siguientes requisitos:

  Categoría:Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales

  Característica del FET:-

  Vgs(th) (máximo) @ Id:2V @ 55μA

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  El número de unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad.

  Categoría:Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales

  Característica del FET:-

  Vgs(th) (máximo) @ Id:3.9V @ 80μA

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  AFT20S015NR1 y sus componentes

  Categoría:Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET de RF y MOSFET

  Estado del producto:Actividad

  Tipo de montaje:Montura de la superficie

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  Artículo 2K0FUE

  Categoría:Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET de RF y MOSFET

  Estado del producto:Actividad

  Tipo de montaje:Montura del chasis

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  STAC2932FW: el sistema de control de las emisiones de gases de escape

  Categoría:Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET de RF y MOSFET

  Estado del producto:No está disponible

  Configuración:N-canal

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