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Datos del producto: Pago y Envío Términos:
Descripción: MOSFET N-CH 560V 3.2A TO252-3 y otros componentes
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descripción
Categoría: Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales Característica del FET: -
Vgs(th) (máximo) @ Id: 3.9V @ 135 μA Temperatura de funcionamiento: -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Envase / estuche: TO-252-3, DPak (2 Pistas + Tab), SC-63 Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 2A, 10 V Tipo de FET: N-canal
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido): 10 V Paquete: Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Voltagem de salida a la fuente (Vdss): 560 V Vgs (máximo): ± 20 V
Estado del producto: No está disponible Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Tipo de montaje: Montura de la superficie Serie: CoolMOS™
Paquete de dispositivos del proveedor: Se trata de una serie de medidas de seguridad. El Sr.: Tecnologías Infineon
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc) Disipación de poder (máxima): 38W (Tc)
tecnología: MOSFET (óxido de metal) Número del producto de base: Se aplicará el procedimiento siguiente:

N-canal 560 V 3.2A (Tc) 38W (Tc) Montaje de superficie PG-TO252-3-11

etiqueta:

IC de transistores,

Transistores Circuitos integrados,

Sistemas de circuito integrado de transistores

Contacto
Sensor (HK) Limited

Persona de Contacto: Liu Guo Xiong

Teléfono: +8618200982122

Fax: 86-755-8255222

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