China Semiconductor discreto

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  Se aplicarán los siguientes requisitos:

  Categoría:Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales

  Característica del FET:-

  Estado del producto:Descatalogado en Digi-Key

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  Se aplicarán las siguientes medidas:

  Categoría:Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales

  Característica del FET:-

  Estado del producto:Descatalogado en Digi-Key

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  Se trata de una serie de pruebas.

  Categoría:Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales

  Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:50 nC @ 4,5 V

  Estado del producto:No está disponible

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  ZXM41N10FTA

  Categoría:Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales

  Característica del FET:-

  Estado del producto:No está disponible

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  Se aplicará el procedimiento siguiente:

  Categoría:Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales

  Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:32 nC @ 4,5 V

  Estado del producto:No está disponible

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  IRFR3707Z

  Categoría:Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales

  Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:14 nC a 4,5 V

  Estado del producto:No está disponible

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  Se aplicará el método de ensayo de los datos de los equipos de ensayo.

  Categoría:Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales

  Característica del FET:-

  Vgs(th) (máximo) @ Id:2V @ 250μA

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  Se aplicará el procedimiento siguiente:

  Categoría:Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales

  Característica del FET:-

  Vgs(th) (máximo) @ Id:2V @ 60μA

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  Se trata de la IRLR8113

  Categoría:Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales

  Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:32 nC @ 4,5 V

  Estado del producto:No está disponible

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  Los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo se aplicarán a los equipos de ensayo de los equipos de ensayo de los equipos de ensayo de los equipos de ensayo de los equipos de ensayo.

  Categoría:Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales

  Característica del FET:-

  Vgs(th) (máximo) @ Id:3.9V @ 500μA

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  FQD4P25TF y el resto de los componentes

  Categoría:Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales

  Característica del FET:-

  Vgs(th) (máximo) @ Id:5V @ 250µA

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  Se aplicará el procedimiento siguiente:

  Categoría:Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales

  Característica del FET:-

  Vgs(th) (máximo) @ Id:2V @ 40μA

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