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Se trata de la IRLR8113

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Se trata de la IRLR8113

Se trata de la IRLR8113
Se trata de la IRLR8113

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Datos del producto: Pago y Envío Términos:
Descripción: MOSFET N-CH 30V 94A DPAK y sus componentes

Se trata de la IRLR8113

descripción
Categoría: Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs: 32 nC @ 4,5 V
Estado del producto: No está disponible Tipo de montaje: Montura de la superficie
Paquete: El tubo Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds: 2920 pF @ 15 V
Serie: HEXFET® Vgs (máximo): ± 20 V
Vgs(th) (máximo) @ Id: 2.25V @ 250µA Paquete de dispositivos del proveedor: D-PAK
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V El Sr.: Tecnologías Infineon
Temperatura de funcionamiento: -55 °C ~ 175 °C (TJ) Tipo de FET: N-canal
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido): 4.5V y 10V Disipación de poder (máxima): El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero
Envase / estuche: TO-252-3, DPak (2 Pistas + Tab), SC-63 Voltagem de salida a la fuente (Vdss): 30 V
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C: 94A (Tc) tecnología: MOSFET (óxido de metal)
Característica del FET: -

N-canal 30 V 94A (Tc) 89W (Tc) Montaje de superficie D-Pak

Contacto
SHENZHEN ECER NETWORK TECHNOLOGY CO.,LTD

Persona de Contacto: Miss. Coral

Teléfono: +86 15211040646

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