Los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo se aplicarán a los equipos de ensayo de los equipos de ensayo de los equipos de ensayo de los equipos de ensayo de los equipos de ensayo.

Name: Los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo se aplicarán a los equipos de ensayo de los equipos de ensayo de los equipos de ensayo de los equipos de ensayo de los equipos de ensayo.
Brand: Sensor (HK) Limited
Availability: InStock

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Datos del producto: Pago y Envío Términos:

Descripción:	MOSFET N-CH 650V 11A TO262-3 para el uso en las instalaciones de las instalaciones eléctricas

Contacto

Los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo se aplicarán a los equipos de ensayo de los equipos de ensayo de los equipos de ensayo de los equipos de ensayo de los equipos de ensayo.

descripción

Categoría:	Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales	Característica del FET:	-
Vgs(th) (máximo) @ Id:	3.9V @ 500μA	Temperatura de funcionamiento:	-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Envase / estuche:	TO-262-3 lleva de largo, yo ² Pak, TO-262AA	Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:	60 nC a 10 V
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:	Las emisiones de gases de efecto invernadero de los sistemas de energía eléctrica de los sistemas de	Tipo de FET:	N-canal
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido):	10 V	Paquete:	El tubo
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):	650 V	Vgs (máximo):	± 20 V
Estado del producto:	No está disponible	Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:	1200 pF @ 25 V
Tipo de montaje:	A través del agujero	Serie:	CoolMOS™
Paquete de dispositivos del proveedor:	Se trata de una serie de medidas de seguridad.	El Sr.:	Tecnologías Infineon
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C:	11A (Tc)	Disipación de poder (máxima):	125W (Tc)
tecnología:	MOSFET (óxido de metal)	Número del producto de base:	El SPI11N

N-canal 650 V 11A (Tc) 125W (Tc) a través del agujero PG-TO262-3-1

etiqueta:

Persona de Contacto: Liu Guo Xiong

Teléfono: +8618200982122

Fax: 86-755-8255222

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