China Semiconductor discreto

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  Se aplicará el procedimiento siguiente:

  Categoría:Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales

  Característica del FET:-

  Vgs(th) (máximo) @ Id:2V @ 250μA

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  Se aplican las siguientes medidas:

  Categoría:Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales

  Característica del FET:-

  Vgs(th) (máximo) @ Id:2V @ 20µA

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  SPP21N10

  Categoría:Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales

  Característica del FET:-

  Vgs(th) (máximo) @ Id:4V @ 44μA

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  Se aplicará el procedimiento siguiente:

  Categoría:Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales

  Característica del FET:-

  Vgs(th) (máximo) @ Id:2V @ 60μA

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  Se aplicará el procedimiento siguiente:

  Categoría:Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales

  Característica del FET:-

  Vgs(th) (máximo) @ Id:2V @ 100μA

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  SPA21N50C3XKSA1

  Categoría:Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales

  Característica del FET:-

  Vgs(th) (máximo) @ Id:3.9V @ 1mA

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  Se aplicará el procedimiento siguiente:

  Categoría:Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales

  Característica del FET:-

  Vgs(th) (máximo) @ Id:2V @ 20µA

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  SPP16N50C3HKSA1

  Categoría:Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales

  Característica del FET:-

  Vgs(th) (máximo) @ Id:3.9V @ 675μA

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  SPA04N50C3XKSA1

  Categoría:Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales

  Característica del FET:-

  Vgs(th) (máximo) @ Id:3.9V @ 200 μA

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  SPP04N60C3HKSA1

  Categoría:Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales

  Característica del FET:-

  Vgs(th) (máximo) @ Id:3.9V @ 200 μA

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  SPP21N50C3HKSA1

  Categoría:Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales

  Característica del FET:-

  Vgs(th) (máximo) @ Id:3.9V @ 1mA

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  Se aplicará la norma BSL211SP.

  Categoría:Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales

  Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:12.4 nC @ 4,5 V

  Estado del producto:No está disponible

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