SPP04N60C3HKSA1

Name: SPP04N60C3HKSA1
Brand: Sensor (HK) Limited
Availability: InStock

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Ampliación de imagen : SPP04N60C3HKSA1

Datos del producto: Pago y Envío Términos:

Descripción:	MOSFET N-CH 650V 4.5A TO220-3 y otros dispositivos de transmisión de energía

Contacto

descripción

Categoría:	Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales	Característica del FET:	-
Vgs(th) (máximo) @ Id:	3.9V @ 200 μA	Temperatura de funcionamiento:	-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Envase / estuche:	TO-220-3	Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:	25 nC @ 10 V
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:	950 mOhm @ 2.8A, 10V	Tipo de FET:	N-canal
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido):	10 V	Paquete:	El tubo
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):	650 V	Vgs (máximo):	± 20 V
Estado del producto:	No está disponible	Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:	490 pF @ 25 V
Tipo de montaje:	A través del agujero	Serie:	CoolMOS™
Paquete de dispositivos del proveedor:	Se trata de una serie de medidas de seguridad.	El Sr.:	Tecnologías Infineon
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C:	4.5A (Tc)	Disipación de poder (máxima):	50W (Tc)
tecnología:	MOSFET (óxido de metal)	Número del producto de base:	SPP04N