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SPP16N50C3HKSA1

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Datos del producto: Pago y Envío Términos:
Descripción: MOSFET N-CH 560V 16A TO220-3 y el resto de los componentes
Contacto

SPP16N50C3HKSA1

descripción
Categoría: Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales Característica del FET: -
Vgs(th) (máximo) @ Id: 3.9V @ 675μA Temperatura de funcionamiento: -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Envase / estuche: TO-220-3 Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs: Las emisiones de gases de efecto invernadero se calcularán en función de las emisiones de gases de e Tipo de FET: N-canal
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido): 10 V Paquete: El tubo
Voltagem de salida a la fuente (Vdss): 560 V Vgs (máximo): ± 20 V
Estado del producto: No está disponible Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds: El valor de las emisiones de dióxido de carbono es el siguiente:
Tipo de montaje: A través del agujero Serie: CoolMOS™
Paquete de dispositivos del proveedor: Se trata de una serie de medidas de seguridad. El Sr.: Tecnologías Infineon
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Disipación de poder (máxima): 160W (Tc)
tecnología: MOSFET (óxido de metal) Número del producto de base: SPP16N

N-canal 560 V 16A (Tc) 160W (Tc) a través del agujero PG-TO220-3-1

etiqueta:

IC de transistores,

Transistores Circuitos integrados,

Sistemas de circuito integrado de transistores

Contacto
Sensor (HK) Limited

Persona de Contacto: Liu Guo Xiong

Teléfono: +8618200982122

Fax: 86-755-8255222

Envíe su pregunta directamente a nosotros (0 / 3000)

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