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Datos del producto: Pago y Envío Términos:
Descripción: MOSFET P-CH 20V 4.7A TSOP-6 y el resto de los componentes
Contacto

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descripción
Categoría: Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs: 12.4 nC @ 4,5 V
Estado del producto: No está disponible Tipo de montaje: Montura de la superficie
Paquete: Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds: Se aplicarán las siguientes medidas:
Serie: OptiMOS™ Vgs (máximo): ±12V
Vgs(th) (máximo) @ Id: 1.2V @ 25μA Paquete de dispositivos del proveedor: Se trata de un proyecto de investigación.
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs: Se aplicarán las siguientes medidas: El Sr.: Tecnologías Infineon
Temperatura de funcionamiento: -55 °C ~ 150 °C (TJ) Tipo de FET: P-canal
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido): 2.5V, 4.5V Disipación de poder (máxima): 2W (TA)
Envase / estuche: Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero. Voltagem de salida a la fuente (Vdss): 20 V
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta) tecnología: MOSFET (óxido de metal)
Característica del FET: -

P-Canal 20 V 4.7A (Ta) 2W (Ta) Montaje de superficie PG-TSOP6-6

etiqueta:

IC de transistores,

Transistores Circuitos integrados,

Sistemas de circuito integrado de transistores

Contacto
Sensor (HK) Limited

Persona de Contacto: Liu Guo Xiong

Teléfono: +8618200982122

Fax: 86-755-8255222

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