Inicio ProductosSemiconductor discreto

Se aplicará el procedimiento siguiente:

Estoy en línea para chatear ahora

Se aplicará el procedimiento siguiente:

Se aplicará el procedimiento siguiente:
Se aplicará el procedimiento siguiente:

Ampliación de imagen :  Se aplicará el procedimiento siguiente:

Datos del producto: Pago y Envío Términos:
Descripción: MOSFET N-CH 25V 50A TO220-3 y el resto de los componentes

Se aplicará el procedimiento siguiente:

descripción
Categoría: Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales Característica del FET: -
Vgs(th) (máximo) @ Id: 2V @ 20µA Temperatura de funcionamiento: -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Envase / estuche: TO-220-3 Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs: Las partidas 1 y 2 no se aplicarán.
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 30A, 10V Tipo de FET: N-canal
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido): 4.5V y 10V Paquete: El tubo
Voltagem de salida a la fuente (Vdss): 25 V Vgs (máximo): ± 20 V
Estado del producto: No está disponible Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds: 1642 pF @ 15 V
Tipo de montaje: A través del agujero Serie: OptiMOS™
Paquete de dispositivos del proveedor: PG-TO220-3 El Sr.: Tecnologías Infineon
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Disipación de poder (máxima): 63W (Tc)
tecnología: MOSFET (óxido de metal) Número del producto de base: Se trata de un documento de identificación de la empresa.

N-canal 25 V 50A (Tc) 63W (Tc) a través del agujero PG-TO220-3

Contacto
Sensor (HK) Limited

Persona de Contacto: Liu Guo Xiong

Teléfono: +8618200982122

Fax: 86-755-8255222

Envíe su pregunta directamente a nosotros (0 / 3000)