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Ampliación de imagen :  IRFR3707Z

Datos del producto: Pago y Envío Términos:
Descripción: MOSFET N-CH 30V 56A DPAK, para el cual se utiliza el método de ensayo de la composición de los gases
Contacto

IRFR3707Z

descripción
Categoría: Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs: 14 nC a 4,5 V
Estado del producto: No está disponible Tipo de montaje: Montura de la superficie
Paquete: El tubo Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds: 1150 pF @ 15 V
Serie: HEXFET® Vgs (máximo): ± 20 V
Vgs(th) (máximo) @ Id: 2.25V @ 250µA Paquete de dispositivos del proveedor: D-PAK
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs: 9Las emisiones de gases de efecto invernadero se calcularán en función de las emisiones de gases de El Sr.: Tecnologías Infineon
Temperatura de funcionamiento: -55 °C ~ 175 °C (TJ) Tipo de FET: N-canal
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido): 4.5V y 10V Disipación de poder (máxima): 50W (Tc)
Envase / estuche: TO-252-3, DPak (2 Pistas + Tab), SC-63 Voltagem de salida a la fuente (Vdss): 30 V
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C: 56A (Tc) tecnología: MOSFET (óxido de metal)
Característica del FET: -

N-canal 30 V 56A (Tc) 50W (Tc) Montaje de superficie D-Pak

etiqueta:

IC de transistores,

Transistores Circuitos integrados,

Sistemas de circuito integrado de transistores

Contacto
Sensor (HK) Limited

Persona de Contacto: Liu Guo Xiong

Teléfono: +8618200982122

Fax: 86-755-8255222

Envíe su pregunta directamente a nosotros (0 / 3000)

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