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Datos del producto: Pago y Envío Términos:
Descripción: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323 Las emisiones de gases de efecto invernadero y los gases de efecto inv
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descripción
Categoría: Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales Característica del FET: -
Estado del producto: Descatalogado en Digi-Key Tipo de montaje: Montura de la superficie
Vgs(th) (máximo) @ Id: 2V @ 1mA Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Serie: - Vgs (máximo): ± 20 V
Paquete: Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Paquete de dispositivos del proveedor: Se trata de la SOT-323.
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V El Sr.: Diodos incorporados
Temperatura de funcionamiento: -55 °C ~ 150 °C (TJ) Tipo de FET: N-canal
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido): 4.5V y 10V Disipación de poder (máxima): 200mW (TA)
Envase / estuche: SC-70, SOT-323: las pruebas de las mismas. Voltagem de salida a la fuente (Vdss): Las demás:
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C: 170mA (TA) tecnología: MOSFET (óxido de metal)
Número del producto de base: BSS123 y BSS124

N-canal 100 V 170 mA (Ta) 200 mW (Ta) Montaje de superficie SOT-323

etiqueta:

IC de transistores,

Transistores Circuitos integrados,

Sistemas de circuito integrado de transistores

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