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Datos del producto:
Pago y Envío Términos:
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| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales | Característica del FET: | - |
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| Vgs(th) (máximo) @ Id: | 2V @ 250μA | Temperatura de funcionamiento: | -55 °C ~ 175 °C (TJ) |
| Envase / estuche: | TO-263-3, D2Pak (2 plumas + pestaña), TO-263AB | Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs: | Las partidas de los demás componentes |
| Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs: | 2.7mOhm @ 80A, 10V | Tipo de FET: | N-canal |
| Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido): | 10 V | Paquete: | Cintas y bobinas (TR) |
| Voltagem de salida a la fuente (Vdss): | 30 V | Vgs (máximo): | ± 20 V |
| Estado del producto: | No está disponible | Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds: | 8180 pF @ 25 V |
| Tipo de montaje: | Montura de la superficie | Serie: | OptiMOS™ |
| Paquete de dispositivos del proveedor: | PG-TO263-3-2 | El Sr.: | Tecnologías Infineon |
| Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C: | 100A (Tc) | Disipación de poder (máxima): | 300W (Tc) |
| tecnología: | MOSFET (óxido de metal) | Número del producto de base: | El número de unidades de producción |
N-canal 30 V 100A (Tc) 300W (Tc) Montaje de superficie PG-TO263-3-2
Persona de Contacto: Liu Guo Xiong
Teléfono: +8618200982122
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