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Datos del producto: Pago y Envío Términos:
Descripción: MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3
Contacto

Se aplicará el procedimiento de ensayo de la norma IPD13N03LA.

descripción
Categoría: Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales Característica del FET: -
Vgs(th) (máximo) @ Id: 2V @ 20µA Temperatura de funcionamiento: -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Envase / estuche: TO-252-3, DPak (2 Pistas + Tab), SC-63 Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 30A, 10V Tipo de FET: N-canal
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido): 4.5V y 10V Paquete: Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC)
Voltagem de salida a la fuente (Vdss): 25 V Vgs (máximo): ± 20 V
Estado del producto: No está disponible Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds: 1043 pF @ 15 V
Tipo de montaje: Montura de la superficie Serie: OptiMOS™
Paquete de dispositivos del proveedor: Se trata de una serie de medidas de seguridad. El Sr.: Tecnologías Infineon
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Disipación de poder (máxima): Se aplicarán las siguientes medidas:
tecnología: MOSFET (óxido de metal) Número del producto de base: Se aplicará el procedimiento siguiente:

N-canal 25 V 30A (Tc) 46W (Tc) Montaje de superficie PG-TO252-3-11

etiqueta:

IC de transistores,

Transistores Circuitos integrados,

Sistemas de circuito integrado de transistores

Contacto
Sensor (HK) Limited

Persona de Contacto: Liu Guo Xiong

Teléfono: +8618200982122

Fax: 86-755-8255222

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