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Los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo se aplican a los equipos de ensayo de los equipos de ensayo de los equipos de ensayo.

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Datos del producto: Pago y Envío Términos:
Descripción: MOSFET N-CH 650V 7.3A TO262-3 y también

Los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo se aplican a los equipos de ensayo de los equipos de ensayo de los equipos de ensayo.

descripción
Categoría: Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales Característica del FET: -
Vgs(th) (máximo) @ Id: 3.9V @ 350μA Temperatura de funcionamiento: -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Envase / estuche: TO-262-3 lleva de largo, yo ² Pak, TO-262AA Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs: Las emisiones de CO2 de las centrales eléctricas de los Estados miembros se calcularán de acuerdo co Tipo de FET: N-canal
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido): 10 V Paquete: El tubo
Voltagem de salida a la fuente (Vdss): 650 V Vgs (máximo): ± 20 V
Estado del producto: No está disponible Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds: 790 pF @ 25 V
Tipo de montaje: A través del agujero Serie: CoolMOS™
Paquete de dispositivos del proveedor: Se trata de una serie de medidas de seguridad. El Sr.: Tecnologías Infineon
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc) Disipación de poder (máxima): 83W (Tc)
tecnología: MOSFET (óxido de metal) Número del producto de base: Se trata de un sistema de control.

N-canal 650 V 7.3A (Tc) 83W (Tc) a través del agujero PG-TO262-3-1

Contacto
Sensor (HK) Limited

Persona de Contacto: Liu Guo Xiong

Teléfono: +8618200982122

Fax: 86-755-8255222

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