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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Ampliación de imagen :  Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Datos del producto: Pago y Envío Términos:
Descripción: Hoja de datos NTMD6N03R2G pdf y Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays Detalles del producto de Sanyo

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

descripción
Número de la parte: Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. Fabricante: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descripción: Hay modelos alternativos disponibles. Ciclo de vida: Nuevo de este fabricante
hoja de datos: NTMD6N03R2G Hoja de datos PDF Entrega: DHL, UPS, FedEx, Correo Registrado
Pago: T/T Paypal Visa MoneyGram y Western Union Más información: NTMD6N03R2G Más información
ECAD: Solicitar modelos CAD gratuitos Precio (USD): - No es nada.90
En el caso de la: Fabricante: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor. Tensión es uno de los distribuidores. Amplia gama El Monte: Montura de la superficie
embalaje: Digi-Reel® Rds en el máximo: mΩ 32
Horario B: 8541290080 Calificación actual: 6 A
Plastificación de contacto: De hojalata Disposición del poder: 2 W
Número de elementos: 2 Válvula de tensión nominal (DC): 30 V
Temperatura máxima de funcionamiento: 150 ºC Drene a la resistencia de la fuente: mΩ 32
Corriente continua del dren (identificación): 6 A Drene al voltaje de avería de la fuente: 30 V
Categoría de productos: Semiconductores discretos - Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays hoja de datos: En el caso de los vehículos de la categoría NTMD6N03R2G.pdf
Cuánto tiempo: 5560 En stock Aplicaciones: Entrega de energía Iluminación Infraestructura de la red
Tiempo de caída: 45 ns Tiempo de subida: 22 ns
Resistencia: mΩ 32 Caso/paquete: SOIC
Número de pines: 8 Capacitancia entrada: 950 pF
Válvula de voltaje de umbral: 1,8 V Tiempo de retraso de la vuelta-apagado: 45 ns
Disipación de potencia máxima: 2 W Min Operating Temperature: -55 °C
Puerta al voltaje de la fuente (Vgs): 20 V Voltagem de salida a la fuente (Vdss): 30 V

NTMD6N03R2G es un modelo perteneciente a la subcategoría de Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays bajo Semiconductor Discreto.Consulte la ficha de datos, como archivos PDF Docx documentos, etc. Tenemos NTMD6N03R2G imágenes de alta definición y hojas de datos para su referencia.Continuaremos produciendo varios archivos de video y modelos 3D para que los usuarios entiendan nuestro producto de manera más intuitiva y completaNTMD6N03R2G es ampliamente utilizado en la distribución de energía, iluminación, infraestructura de red.NTMD6N03R2G se puede comprar de muchas manerasPuede hacer un pedido directamente en este sitio web, o puede llamarnos o enviarnos un correo electrónico.También podemos ajustar el inventario a los distribuidores para satisfacer sus necesidadesSi el suministro de NTMD6N03R2G es insuficiente, también tenemos otros modelos bajo la categoría de transistores de semiconductores discretos - FETs, MOSFETs - Arrays para reemplazarlo. Fans provides a 1-year warranty to customers who have purchased this part to ensure that our customers have a wonderful purchasing experience and are willing to establish a long-term relationship with Fans. Así que usted puede ordenar NTMD6N03R2G de los fans con confianza. Sobre la entrega, podemos entregar bienes a nuestros clientes a través de una variedad de logística, tales como DHL, FedEx, UPS,TNT y EMS o cualquier otro agente de transporteSi desea saber más sobre el transporte, no dude en contactarnos para más detalles.
En el caso de las personas con discapacidad, el número de personas con discapacidad es el siguiente:

Contacto
Sensor (HK) Limited

Persona de Contacto: Liu Guo Xiong

Teléfono: +8618200982122

Fax: 86-755-8255222

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