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Datos del producto: Pago y Envío Términos:
Descripción: IC de potencia basado en Power GaN HEMT
Contacto

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descripción
Categoría: Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET de RF y MOSFET Estado del producto: Actividad
Configuración: N-canal Voltado nominal: 900 V
Paquete: El tubo Serie: -
Figura del ruido: - Paquete de dispositivos del proveedor: No se aplican las disposiciones de la Directiva 2008/57/CE.
Voltaje - prueba: 6,5 V El Sr.: GaNPower
Frecuencia: - Ganancias: -
Envase / estuche: Pad expuesto 8-WDFN Actual - prueba: 2,5 A
Potencia - Producción: - tecnología: MOSFET
Clasificación de corriente (amperios): -

Se trata de un sistema de transmisión de radio que permite la transmisión de datos a través de una red de radio.

etiqueta:

IC de transistores,

Transistores Circuitos integrados,

Sistemas de circuito integrado de transistores

Contacto
Sensor (HK) Limited

Persona de Contacto: Liu Guo Xiong

Teléfono: +8618200982122

Fax: 86-755-8255222

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