Se aplicará el método de clasificación de los productos.

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Brand: SHENZHEN ECER NETWORK TECHNOLOGY CO.,LTD
Availability: InStock

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Datos del producto: Pago y Envío Términos:

Descripción:	IC de potencia basado en Power GaN HEMT

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descripción

Categoría:	Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET de RF y MOSFET	Estado del producto:	Actividad
Configuración:	N-canal	Voltado nominal:	900 V
Paquete:	El tubo	Serie:	-
Figura del ruido:	-	Paquete de dispositivos del proveedor:	No se aplican las disposiciones de la Directiva 2008/57/CE.
Voltaje - prueba:	6,5 V	El Sr.:	GaNPower
Frecuencia:	-	Ganancias:	-
Envase / estuche:	Pad expuesto 8-WDFN	Actual - prueba:	2,5 A
Potencia - Producción:	-	tecnología:	MOSFET
Clasificación de corriente (amperios):	-

Se trata de un sistema de transmisión de radio que permite la transmisión de datos a través de una red de radio.

etiqueta:

IC de transistores,

Contacto

SHENZHEN ECER NETWORK TECHNOLOGY CO.,LTD

Persona de Contacto: Miss. Coral

Teléfono: +86 15211040646

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