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Las condiciones de los equipos de ensayo se especifican en el anexo II.

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Las condiciones de los equipos de ensayo se especifican en el anexo II.

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Datos del producto: Pago y Envío Términos:
Descripción: MOSFET de RF con canal N

Las condiciones de los equipos de ensayo se especifican en el anexo II.

descripción
Categoría: Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET de RF y MOSFET Estado del producto: No está disponible
Configuración: N-canal Voltado nominal: 500 V
Paquete: El tubo Serie: Z-MOSTM
Figura del ruido: - Paquete de dispositivos del proveedor: DE375
Voltaje - prueba: Las demás: El Sr.: IXYS-RF
Frecuencia: 65MHz Ganancias: 23dB
Envase / estuche: 6-SMD, cojín expuesto ventaja plana Potencia - Producción: 880W
tecnología: MOSFET Clasificación de corriente (amperios): 19A

Mosfet RF 100 V 65MHz 23dB 880W DE375

Contacto
SHENZHEN ECER NETWORK TECHNOLOGY CO.,LTD

Persona de Contacto: Miss. Coral

Teléfono: +86 15211040646

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