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PBSS4230PANP,115

PBSS4230PANP,115
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Ampliación de imagen :  PBSS4230PANP,115

Datos del producto: Pago y Envío Términos:
Descripción: Ahora NEXPERIA PBSS4230PANP - pequeño

PBSS4230PANP,115

descripción
Categoría: Productos discretos de semiconductores Transistores Bipolaridad (BJT) Arrays de transistores bipolar Corriente - colector (Ic) (máximo): 2A
Estado del producto: Actividad Tipo de transistor: NPN, PNP
Tipo de montaje: Montura de la superficie Frecuencia - Transición: 120MHz
Paquete: En bruto Serie: -
Vce saturación (máx) @ Ib, Ic: Se aplicarán las siguientes medidas: Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo): 30 V
Paquete de dispositivos del proveedor: 6-HUSON (2x2) El Sr.: NXP EE.UU. Inc.
Corriente - límite del colector (máximo): 100nA (ICBO) Potencia - máximo: 510 mW
Envase / estuche: Pad expuesto 6-UFDFN Temperatura de funcionamiento: 150°C (TJ)
La corriente continua de aceleración (hFE) (min) @ Ic, Vce: El valor de las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovable es el valor de las emisiones Número del producto de base: Se aplican las siguientes condiciones:

Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 30V 2A 120MHz 510mW Superficie de montaje 6-HUSON (2x2)

Contacto
Sensor (HK) Limited

Persona de Contacto: Liu Guo Xiong

Teléfono: +8618200982122

Fax: 86-755-8255222

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