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R1RW0416DSB-2PI#D0

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Ampliación de imagen :  R1RW0416DSB-2PI#D0

Datos del producto: Pago y Envío Términos:
Descripción: CI SRAM 4MBIT PARALELO 44TSOP II
Contacto

R1RW0416DSB-2PI#D0

descripción
Categoría: Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria Estado del producto: Actividad
Tipo de montaje: Montura de la superficie Paquete: la bandeja
Serie: - DigiKey es programable: No verificado
Interfaz de memoria: En paralelo Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página: 12ns
Paquete de dispositivos del proveedor: 44-TSOP II Tipo de memoria: Las sustancias
El Sr.: Renesas Electronics América Inc. Tamaño de la memoria: 4Mbit
Voltagem - Suministro: 3 V ~ 3,6 V Tiempo de acceso: 12 ns
Envase / estuche: 44-TSOP (0,400", anchura de 10.16m m) Organización de la memoria: 256K x 16
Temperatura de funcionamiento: -40 °C ~ 85 °C (TA) tecnología: Las unidades de memoria de la unidad de almacenamiento de datos de la unidad de almacenamiento de da
Número del producto de base: Se aplicará el procedimiento siguiente: Formato de memoria: La SRAM

SRAM - IC de memoria asincrónica de 4 Mbit paralelo 12 ns 44-TSOP II

etiqueta:

Chip de memoria de IC,

Chip IC de memoria,

regulador ic de la memoria

Contacto
Sensor (HK) Limited

Persona de Contacto: Liu Guo Xiong

Teléfono: +8618200982122

Fax: 86-755-8255222

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