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71V424S10YG

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Datos del producto: Pago y Envío Términos:
Descripción: 71V424 - 4 MEG (512K X 8-BIT) 3.
Contacto

71V424S10YG

descripción
Categoría: Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria Estado del producto: Actividad
Tipo de montaje: Montura de la superficie Paquete: En bruto
Serie: - DigiKey es programable: No verificado
Interfaz de memoria: En paralelo Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página: 10ns
Paquete de dispositivos del proveedor: 36-SOJ Tipo de memoria: Las sustancias
El Sr.: IDT, Tecnología de Dispositivos Integrados Inc Tamaño de la memoria: 4Mbit
Voltagem - Suministro: 3 V ~ 3,6 V Tiempo de acceso: 10 ns
Envase / estuche: 36-BSOJ (0,400", anchura de 10.16m m) Organización de la memoria: 512K x 8
Temperatura de funcionamiento: 0 °C ~ 70 °C (TA) tecnología: Las unidades de memoria de la unidad de almacenamiento de datos de la unidad de almacenamiento de da
Número del producto de base: Las demás: Formato de memoria: La SRAM

SRAM - IC de memoria asíncrona de 4Mbit paralelo 10 ns 36-SOJ

etiqueta:

Chip de memoria de IC,

Chip IC de memoria,

regulador ic de la memoria

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Sensor (HK) Limited

Persona de Contacto: Liu Guo Xiong

Teléfono: +8618200982122

Fax: 86-755-8255222

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