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descripción
Categoría: Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria Estado del producto: Actividad
Tipo de montaje: Montura de la superficie Paquete: En bruto
Serie: - Interfaz de memoria: En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página: 45ns Paquete de dispositivos del proveedor: Las partidas de los componentes de las máquinas de ensamblaje y de los equipos de ensamblaje de las
Tipo de memoria: Las sustancias El Sr.: Rochester Electronics, LLC. El nombre de la empresa es Rochester.
Tamaño de la memoria: 8Mbit Voltagem - Suministro: 2.7V ~ 3.6V
Envase / estuche: 48-TFBGA Organización de la memoria: 512K x 16
Temperatura de funcionamiento: -40 °C ~ 85 °C (TA) tecnología: Las unidades de memoria de la unidad de almacenamiento de datos de la unidad de almacenamiento de da
Tiempo de acceso: 45 ns Formato de memoria: La SRAM

SRAM - IC de memoria asíncrona de 8 Mbit paralelo 45 ns 48-TFBGA (7,5x8,5)

Contacto
Sensor (HK) Limited

Persona de Contacto: Liu Guo Xiong

Teléfono: +8618200982122

Fax: 86-755-8255222

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