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MT41K256M16TW-107:P Memoria de acceso aleatorio dinámico 4Gbit Escalabilidad

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MT41K256M16TW-107:P Memoria de acceso aleatorio dinámico 4Gbit Escalabilidad

MT41K256M16TW-107:P Memoria de acceso aleatorio dinámico 4Gbit Escalabilidad
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Datos del producto: Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 1000 unidades
Precio: Negotiated
Las existencias: 10000-500000 piezas
Método de envío: Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Descripción: "MT41K256M16TW-107:P" es un número de modelo para un chip DRAM (Dynamic Random Access Memory), fabri
Condiciones de pago: T/T

MT41K256M16TW-107:P Memoria de acceso aleatorio dinámico 4Gbit Escalabilidad

descripción
Capacidad de almacenamiento: 4Gbit Anchura de los datos: 16 bits
Tipo de paquete: FBGA-96
Resaltar:

MT41K256M16TW-107:P Memoria dinámica de acceso aleatorio

,

Escalabilidad Memoria de acceso aleatorio dinámico

,

Circuitos electrónicos integrados de 4 Gbits

El MT41K256M16TW-107:P es un chip DRAM (Dynamic Random Access Memory) producido por Micron, perteneciente a la familia DDR3L (Low Voltage DDR3).

Parámetros básicos

  • Capacidad de almacenamiento: 4Gbit (es decir, 256M x 16bit)
  • Ancho de datos: 16 bits
  • Tipo de paquete: FBGA-96 (Array de cuadrícula de bolas de tono fino con 96 pines)
  • Rango de tensión: 1,283V a 1,45V (conforme con el rango de baja tensión de la norma DDR3L)

Parámetros de rendimiento

  • Frecuencia del reloj: Hasta 933 MHz (aunque la frecuencia de funcionamiento real puede variar según el diseño del sistema y los requisitos de la aplicación)
  • Tiempo de acceso: por lo general relacionado con la frecuencia de funcionamiento, pero algunas referencias mencionan un tiempo de acceso de 20 ns (posiblemente un valor de ensayo en condiciones específicas)
  • Rango de temperatura de funcionamiento: Generalmente entre 0°C y 95°C, pero las temperaturas mínimas de funcionamiento pueden ser tan bajas como -40°C según diferentes fuentes

Características funcionales

  • Compatibilidad con el pasado: admite el funcionamiento a 1,5 V para compatibilidad con dispositivos DDR3
  • Estribo de datos bidireccional diferencial: Permite la señalización diferencial para mejorar la estabilidad de la señal y la inmunidad al ruido
  • Arquitectura 8n-Prefetch: Mejora la eficiencia de la transferencia de datos
  • Entradas de reloj diferencial (CK, CK#): Utiliza señales de reloj diferenciales para reducir el sesgo del reloj y el ruido
  • Tensión de la luz de la luz de la luz de la luz: Proporciona ajustes de latencia flexibles para adaptarse a las diferentes necesidades de rendimiento
  • Modo de actualización automática: Permite actualizar automáticamente los datos de memoria durante los períodos de inactividad para evitar la pérdida de datos

Información adicional

  • Conforme con la Directiva RoHS: Cumple con la norma RoHS (Restricción de sustancias peligrosas), por lo que es un producto respetuoso con el medio ambiente
  • Estilo de montaje: Dispositivo de montaje de superficie (SMD/SMT), adecuado para los requisitos de miniaturización e integración de los dispositivos electrónicos modernosMT41K256M16TW-107:P Memoria de acceso aleatorio dinámico 4Gbit Escalabilidad 0

Contacto
Sensor (HK) Limited

Persona de Contacto: Liu Guo Xiong

Teléfono: +8618200982122

Fax: 86-755-8255222

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